Numéro de produit du fabricant:
DMT6015LFVW-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT6015LFVW-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Description détaillée:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 31.8A (Tc) 2.8W (Ta), 28.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventaire:
12978754
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SOUMETTRE
DMT6015LFVW-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta), 31.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
808 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 28.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMT6015LFVW-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH6016LFVWQ-13-A
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMN3060LW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
PJT7413_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M