DMT6015LFV-7
Numéro de produit du fabricant:

DMT6015LFV-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMT6015LFV-7-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Description détaillée:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Inventaire:

1750 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12888720
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SOUMETTRE

DMT6015LFV-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1103 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMT6015

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMT6015LFV-7TR
31-DMT6015LFV-7CT
DMT6015LFV-7-DG
31-DMT6015LFV-7DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
TPN11006NL,LQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
10188
NUMÉRO DE PIÈCE
TPN11006NL,LQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.27
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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