Numéro de produit du fabricant:
DMT3009LFVWQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT3009LFVWQ-13-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventaire:
12894528
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SOUMETTRE
DMT3009LFVWQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3.8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
823 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMT3009
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT3009LFVWQ-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
1290
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT3009LFVWQ-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.22
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH10H010SCT
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
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MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
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