Numéro de produit du fabricant:
DMT12H060LFDF-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT12H060LFDF-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Description détaillée:
N-Channel 115 V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventaire:
12979165
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SOUMETTRE
DMT12H060LFDF-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
115 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
475 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type F)
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
DMT12
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMT12H060LFDF-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT12H060LFDF-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
783
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT12H060LFDF-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP2100UQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMT64M1LCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333