Numéro de produit du fabricant:
DMT12H060LCA9-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT12H060LCA9-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
Description détaillée:
N-Channel 115 V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount X2-DSN1515-9
Inventaire:
13002612
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMT12H060LCA9-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
115 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±5.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
560 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X2-DSN1515-9
Emballage / Caisse
9-SMD, No Lead
Numéro de produit de base
DMT12
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMT12H060LCA9-7
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHF085N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
NTMFS4C905NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
DMN3061S-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
