Numéro de produit du fabricant:
DMT10H072LFV-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT10H072LFV-13-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Description détaillée:
N-Channel 100 V 4.7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Inventaire:
12902664
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SOUMETTRE
DMT10H072LFV-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A (Ta), 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
228 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (Type UX)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMT10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMT10H072LFV-13DI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT10H072LFV-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
6289
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT10H072LFV-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.13
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
ZXMP2120E5TA
MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25
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