Numéro de produit du fabricant:
DMT10H072LFDFQ-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT10H072LFDFQ-7-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Description détaillée:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventaire:
26811 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12921800
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMT10H072LFDFQ-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
228 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type F)
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
DMT10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMT10H072LFDFQ-7TR
31-DMT10H072LFDFQ-7DKR
31-DMT10H072LFDFQ-7CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SISS04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
MSJPF20N65-BP
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
