Numéro de produit du fabricant:
DMT10H032SFVW-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT10H032SFVW-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Description détaillée:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventaire:
12978974
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SOUMETTRE
DMT10H032SFVW-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
544 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMT10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMT10H032SFVW-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT10H032SFVW-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMT10H032SFVW-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT12H7M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMN3016LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMNH6021SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
