Numéro de produit du fabricant:
DMT10H017LPD-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT10H017LPD-13-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Description détaillée:
Mosfet Array 100V 54.7A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventaire:
2475 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12895307
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SOUMETTRE
DMT10H017LPD-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
100V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
54.7A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28.6nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1986pF @ 50V
Puissance - Max
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI5060-8
Numéro de produit de base
DMT10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMT10H017LPD-13DKR
31-DMT10H017LPD-13TR
DMT10H017LPD-13-DG
31-DMT10H017LPD-13CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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