Numéro de produit du fabricant:
DMT10H009SCG-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT10H009SCG-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Description détaillée:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 48A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventaire:
13000941
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SOUMETTRE
DMT10H009SCG-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Ta), 48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2085 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
V-DFN3333-8 (Type B)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMT10
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
31-DMT10H009SCG-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
G33N03S
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
G65P06T
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
GT105N10T
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
