Numéro de produit du fabricant:
DMS2120LFWB-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMS2120LFWB-7-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN3020B (3x2)
Inventaire:
12899278
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMS2120LFWB-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
632 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN3020B (3x2)
Emballage / Caisse
8-VDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
DMS2120
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMS2120LFWB-7DI
DMS2120LFWB-7DIDKR
DMS2120LFWB-7DITR
DMS2120LFWB7
DMS2120LFWB-7DICT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK9840-55,115
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
TSM061NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
TSM4435BCS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
