Numéro de produit du fabricant:
DMP56D0UFB-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMP56D0UFB-7-DG
Description:
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Description détaillée:
P-Channel 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventaire:
4580 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12896330
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SOUMETTRE
DMP56D0UFB-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.58 nC @ 4 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50.54 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
425mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X1-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-UFDFN
Numéro de produit de base
DMP56
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMP56D0UFB-7DIDKR
DMP56D0UFB-7DITR
DMP56D0UFB-7DICT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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