Numéro de produit du fabricant:
DMP2900UFB-7B
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMP2900UFB-7B-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Description détaillée:
P-Channel 20 V 990mA (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventaire:
9889 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12993019
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SOUMETTRE
DMP2900UFB-7B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
990mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
49 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
550mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X1-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-UFDFN
Numéro de produit de base
DMP2900
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMP2900UFB-7B
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT10H4M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
G2K8P15S
P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
