DMP1012USS-13
Numéro de produit du fabricant:

DMP1012USS-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMP1012USS-13-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
Description détaillée:
P-Channel 12 V 8.5A (Ta) 1.3W (Ta)

Inventaire:

12883373
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SOUMETTRE

DMP1012USS-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1344 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
-
Ensemble d’appareils du fournisseur
-
Emballage / Caisse
-
Numéro de produit de base
DMP1012

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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