DMN95H8D5HCTI
Numéro de produit du fabricant:

DMN95H8D5HCTI

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN95H8D5HCTI-DG

Description:

MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
Description détaillée:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventaire:

18 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12884090
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SOUMETTRE

DMN95H8D5HCTI Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
950 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
470 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
DMN95

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
DMN95H8D5HCTIDI
DMN95H8D5HCTI-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP5N100PM
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
207
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP5N100PM-DG
PRIX UNITAIRE
3.67
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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