Numéro de produit du fabricant:
DMN95H8D5HCT
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN95H8D5HCT-DG
Description:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventaire:
12949375
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SOUMETTRE
DMN95H8D5HCT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
950 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
470 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB (Type TH)
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
DMN95
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
DMN95H8D5HCT-DG
DMN95H8D5HCTDI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP2N100
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP2N100-DG
PRIX UNITAIRE
3.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP2R4N120P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
14
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP2R4N120P-DG
PRIX UNITAIRE
3.25
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP2N100P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
136
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP2N100P-DG
PRIX UNITAIRE
1.49
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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