DMN66D0LDWQ-7
Numéro de produit du fabricant:

DMN66D0LDWQ-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN66D0LDWQ-7-DG

Description:

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 115mA (Tc) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-363

Inventaire:

13000670
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SOUMETTRE

DMN66D0LDWQ-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
115mA (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
29.3pF @ 25V
Puissance - Max
400mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-363
Numéro de produit de base
DMN66

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN66D0LDWQ-7TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMTH4014LDVW-13

MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333

microchip-technology

MSCSM120AM31CTBL1NG

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diodes

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