Numéro de produit du fabricant:
DMN65D8LFB-7B
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN65D8LFB-7B-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Description détaillée:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventaire:
465904 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891813
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SOUMETTRE
DMN65D8LFB-7B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
25 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
430mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X1-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-UFDFN
Numéro de produit de base
DMN65
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
DMN65D8LFB-7BDICT
DMN65D8LFB-7BDITR
DMN65D8LFB7B
DMN65D8LFB-7BDIDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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