Numéro de produit du fabricant:
DMN65D8LDWQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN65D8LDWQ-13-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Inventaire:
12888365
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMN65D8LDWQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180mA
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
22pF @ 25V
Puissance - Max
300mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-363
Numéro de produit de base
DMN65
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP32D9UDA-7B
MOSFET 2P-CH 0.22A 6DFN
DMN53D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
DMP2160UFDBQ-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
