DMN62D4LFB-7B
Numéro de produit du fabricant:

DMN62D4LFB-7B

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN62D4LFB-7B-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
Description détaillée:
N-Channel 60 V 407mA (Ta) 500mW Surface Mount X1-DFN1006-3

Inventaire:

12979019
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

DMN62D4LFB-7B Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
407mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
40 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X1-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-UFDFN
Numéro de produit de base
DMN62

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMN62D4LFB-7BDKR
31-DMN62D4LFB-7BCT
31-DMN62D4LFB-7BTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FCPF380N65FL1-F154

MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3

diodes

DMP31D7LFBQ-7B

MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006

diodes

DMP2035UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

diodes

DMTH61M8LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506