Numéro de produit du fabricant:
DMN6070SY-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN6070SY-13-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 4.1A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount SOT-89-3
Inventaire:
1723 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12884714
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SOUMETTRE
DMN6070SY-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
588 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-89-3
Emballage / Caisse
TO-243AA
Numéro de produit de base
DMN6070
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
DMN6070SY-13-DG
31-DMN6070SY-13TR
31-DMN6070SY-13DKR
31-DMN6070SY-13CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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