Numéro de produit du fabricant:
DMN31D4UFZ-7B
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN31D4UFZ-7B-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Description détaillée:
N-Channel 30 V 310mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Inventaire:
9895 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13002833
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMN31D4UFZ-7B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15.4 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X2-DFN0606-3
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Numéro de produit de base
DMN31
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMN31D4UFZ-7BCT
31-DMN31D4UFZ-7BDKR
31-DMN31D4UFZ-7BTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH47M2LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
ISC073N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
MCQ20N03HE3-TP
Interface
