Numéro de produit du fabricant:
DMN30H4D0LFDE-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN30H4D0LFDE-7-DG
Description:
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Description détaillée:
N-Channel 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventaire:
12891617
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SOUMETTRE
DMN30H4D0LFDE-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
550mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
187.3 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
630mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type E)
Emballage / Caisse
6-PowerUDFN
Numéro de produit de base
DMN30
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMN30H4D0LFDE7
DMN30H4D0LFDE-7DITR
DMN30H4D0LFDE-7DIDKR
DMN30H4D0LFDE-7DICT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN30H4D0LFDE-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN30H4D0LFDE-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN2009USS-13
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
DMTH10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
SSM6K407TU,LF
MOSFET N-CH 60V 2A UF6
