Numéro de produit du fabricant:
DMN3032L-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN3032L-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Description détaillée:
N-Channel 30 V 5.4A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
Inventaire:
13269053
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SOUMETTRE
DMN3032L-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
31mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
481 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMN3032L-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN2040UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
IRL40T209ATMA2
TRENCH <= 40V
IAUCN04S7L014ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
