Numéro de produit du fabricant:
DMN2710UFB-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN2710UFB-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 720mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventaire:
13002662
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SOUMETTRE
DMN2710UFB-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
42 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
720mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X1-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-UFDFN
Numéro de produit de base
DMN2710
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN2710UFB-7
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2710UFB-7B
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2710UFB-7B-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SSM6K824R,LF
N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
SIHP074N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
SQS181ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
