Numéro de produit du fabricant:
DMN2451UFB4-7B
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN2451UFB4-7B-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventaire:
12978620
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMN2451UFB4-7B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
32 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
660mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X2-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Numéro de produit de base
DMN2451
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMN2451UFB4-7BTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2451UFB4Q-7R
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2451UFB4Q-7R-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2451UFB4Q-7B
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
135
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2451UFB4Q-7B-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP3160LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN3404LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMT10H9M9SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R