Numéro de produit du fabricant:
DMN2310UTQ-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN2310UTQ-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Inventaire:
12987211
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SOUMETTRE
DMN2310UTQ-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
38 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
290mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-523
Emballage / Caisse
SOT-523
Numéro de produit de base
DMN2310
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
31-DMN2310UTQ-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2310UT-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2310UT-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2310UTQ-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2963
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2310UTQ-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHA14N60E-GE3
N-CHANNEL 600V
PJQ1916_R1_00201
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
DMT64M1LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
