Numéro de produit du fabricant:
DMN2016UTS-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN2016UTS-13-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
Inventaire:
9750 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12887786
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SOUMETTRE
DMN2016UTS-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.58A
rds activé (max) @ id, vgs
14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1495pF @ 10V
Puissance - Max
880mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSSOP
Numéro de produit de base
DMN2016
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
DMN2016UTS-13DITR
DMN2016UTS13
DMN2016UTS-13DICT
DMN2016UTS-13DIDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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