Numéro de produit du fabricant:
DMN2005UFGQ-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN2005UFGQ-7-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Description détaillée:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 50A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventaire:
12887991
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SOUMETTRE
DMN2005UFGQ-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6495 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.05W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerDI3333-8
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMN2005
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
DMN2005UFGQ-7DI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2005UFGQ-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN2005UFGQ-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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