DMN13H750S-13
Numéro de produit du fabricant:

DMN13H750S-13

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN13H750S-13-DG

Description:

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Description détaillée:
N-Channel 130 V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

12887769
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SOUMETTRE

DMN13H750S-13 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
130 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
750mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
231 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
770mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
DMN13

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000
Autres noms
DMN13H750S-13DI

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMN13H750S-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
7911
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN13H750S-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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