Numéro de produit du fabricant:
DMN10H170SFDE-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN10H170SFDE-7-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Description détaillée:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventaire:
2853 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12949420
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
DMN10H170SFDE-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1167 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
660mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type E)
Emballage / Caisse
6-PowerUDFN
Numéro de produit de base
DMN10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMN10H170SFDE-7DICT
31-DMN10H170SFDE-7CT
31-DMN10H170SFDE-7DKR
31-DMN10H170SFDE-7TR
DMN10H170SFDE-7DIDKR
DMN10H170SFDE-7DITR
DMN10H170SFDE-7DI-DG
DMN10H170SFDE-7DI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMNH4005SCT
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
DMP3028LPSQ-13
MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
DMT6012LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
