DMN1008UFDF-7
Numéro de produit du fabricant:

DMN1008UFDF-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN1008UFDF-7-DG

Description:

MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Description détaillée:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventaire:

2425 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12884427
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SOUMETTRE

DMN1008UFDF-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
995 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type F)
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
DMN1008

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN1008UFDF-7CT
DMN1008UFDF-7-DG
31-DMN1008UFDF-7TR
31-DMN1008UFDF-7DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DMN1008UFDF-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
39895
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN1008UFDF-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

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MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R

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