Numéro de produit du fabricant:
DMJ70H1D3SK3-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMJ70H1D3SK3-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
Description détaillée:
N-Channel 700 V 4.7A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
12979230
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SOUMETTRE
DMJ70H1D3SK3-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
264 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
DMJ70
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMJ70H1D3SK3-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD7NM80
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4929
NUMÉRO DE PIÈCE
STD7NM80-DG
PRIX UNITAIRE
1.69
TYPE DE SUBSTITUT
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