Numéro de produit du fabricant:
DMJ65H430SCTI
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMJ65H430SCTI-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
Description détaillée:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole ITO220AB-N (Type HE)
Inventaire:
12986538
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SOUMETTRE
DMJ65H430SCTI Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
775 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO220AB-N (Type HE)
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
DMJ65
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
31-DMJ65H430SCTI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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