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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
DMG6602SVTQ-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMG6602SVTQ-7-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
Inventaire:
112251 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12888030
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SOUMETTRE
DMG6602SVTQ-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.4A, 2.8A
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
400pF @ 15V
Puissance - Max
840mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSOT-26
Numéro de produit de base
DMG6602
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMG6602SVTQ-7DIDKR
DMG6602SVTQ-7DITR
DMG6602SVTQ-7DICT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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