Numéro de produit du fabricant:
DMG3415UFY4Q-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMG3415UFY4Q-7-DG
Description:
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Description détaillée:
P-Channel 16 V 2.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2015-3
Inventaire:
53259 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890531
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SOUMETTRE
DMG3415UFY4Q-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
16 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
282 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
650mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X2-DFN2015-3
Emballage / Caisse
3-XDFN
Numéro de produit de base
DMG3415
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMG3415UFY4Q-7DIDKR
DMG3415UFY4Q-7DICT
DMG3415UFY4Q-7DITR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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