DMG1012UW-7
Numéro de produit du fabricant:

DMG1012UW-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMG1012UW-7-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Inventaire:

593095 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12884551
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

DMG1012UW-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
60.67 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
290mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-323
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base
DMG1012

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
DMG1012UW-7DICT
DMG1012UW7
DMG1012UW-7DIDKR
DMG1012UW-7DITR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMP2109UVT-13

MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26

diodes

DMP2003UPS-13

MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8

diodes

DMPH4015SPS-13

MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8

diodes

DMP2040UVT-7

MOSFET P-CH 20V TSOT26