Numéro de produit du fabricant:
DDC115EU-7-F
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DDC115EU-7-F-DG
Description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Inventaire:
12883045
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SOUMETTRE
DDC115EU-7-F Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
100kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
100kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
82 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-363
Numéro de produit de base
DDC115
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DDC115EU-7-FDI
DDC115EU-7-FDIDKR
DDC115EU-7-FDITR
DDC115EU-7-FDICT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5336DW1T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
5922
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5336DW1T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
BCR10PNH6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
37016
NUMÉRO DE PIÈCE
BCR10PNH6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
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