BSS138-7-F-79
Numéro de produit du fabricant:

BSS138-7-F-79

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSS138-7-F-79-DG

Description:

DIODE
Description détaillée:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

12997765
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SOUMETTRE

BSS138-7-F-79 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSS138

Informations supplémentaires

Forfait standard
1
Autres noms
31-BSS138-7-F-79

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
BSS138-7-F
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
54719
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS138-7-F-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IPT65R080CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

goford-semiconductor

G230P06K

P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,

goford-semiconductor

G300P06S

P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,

rohm-semi

RH6L040BGTB1

NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET