BS870Q-7-F
Numéro de produit du fabricant:

BS870Q-7-F

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BS870Q-7-F-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
Description détaillée:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 300mW Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

8629 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12881992
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SOUMETTRE

BS870Q-7-F Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BS870

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
BS870Q-7-FDIDKR
BS870Q-7-FDITR
BS870Q-7-FDICT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

IRFP31N50L

MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3

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