BS107P

Numéro de produit du fabricant:

BS107P

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BS107P-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Description détaillée:

N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92

Inventaire:

1875 Pièces Nouvelles Originales En Stock

12902970

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SOUMETTRE

BS107P Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Diodes Incorporated

Emballage

Bulk

Série

-

État du produit

Active

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

200 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

120mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.6V, 5V

rds activé (max) @ id, vgs

30Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (max.)

±20V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

500mW (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur

TO-92

Emballage / Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Numéro de produit de base

BS107

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

4,000

Autres noms

BS107P-NDR

BS107

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS

ROHS3 Compliant

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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