Numéro de produit du fabricant:
CDM2206-800LR
Product Overview
Fabricant:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CDM2206-800LR-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Description détaillée:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12950048
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SOUMETTRE
CDM2206-800LR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Central Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
950mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
474.7 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1514-CDM2206-800LR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP7N80K5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
860
NUMÉRO DE PIÈCE
STP7N80K5-DG
PRIX UNITAIRE
0.98
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