Numéro de produit du fabricant:
BDV65B
Product Overview
Fabricant:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BDV65B-DG
Description:
TRANS NPN 100V 12A TO218
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218
Inventaire:
12789616
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SOUMETTRE
BDV65B Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Central Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
12 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Courant - Coupure du collecteur (max.)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 5A, 4V
Puissance - Max
125 W
Fréquence - Transition
60MHz
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-218-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-218
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
BDV65BCS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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