Numéro de produit du fabricant:
AS1M040120T
Product Overview
Fabricant:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AS1M040120T-DG
Description:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaire:
27 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988896
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SOUMETTRE
AS1M040120T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Anbon Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
142 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2946 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
330W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
4530-AS1M040120T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSC007N04LS6SCATMA1
TRENCH <= 40V
TK25A20D,S5X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
AS1M025120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
