Numéro de produit du fabricant:
AOY2N60
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOY2N60-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-251B
Inventaire:
12930015
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
AOY2N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
295 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
57W (Tc)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251B
Emballage / Caisse
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base
AOY2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,500
Autres noms
5202-AOY2N60
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK2Q60D(Q)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
190
NUMÉRO DE PIÈCE
TK2Q60D(Q)-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
STP50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A TO220
JANTXV2N6798U
MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
PSMN8R5-40MLDX
MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
