AOW482
Numéro de produit du fabricant:

AOW482

Product Overview

Fabricant:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

AOW482-DG

Description:

MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO262
Description détaillée:
N-Channel 80 V 11A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-262

Inventaire:

12848789
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

AOW482 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
Tube
Série
SDMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 105A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4870 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
AOW48

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Dessins de produits

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
5202-AOW482

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FQPF9N50YDTU

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3

onsemi

FQAF58N08

MOSFET N-CH 80V 44A TO3PF

onsemi

FDMC4435BZ-F126

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

onsemi

NDC652P

MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6