Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
AOU7S65
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOU7S65-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251-3
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12845312
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
AOU7S65 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Série
aMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
434 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
AOU7
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
AOU7S65-DG
Fiches techniques
AOU7S65
Dessins de produits
TO251 Pkg Drawing
TO251A Pkg Drawing
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
785-1523-5
AOU7S65-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STU10N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
59
NUMÉRO DE PIÈCE
STU10N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.24
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STU11N65M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
814
NUMÉRO DE PIÈCE
STU11N65M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.66
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
AOSP21321
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
AON7758
MOSFET N-CH 30V 36A/75A 8DFN
AOTF286L
MOSFET N-CH 80V 13.5A/56A TO220
AO4466
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC