AOU3N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
Tube
État du produit
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
370 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
56.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
AOU3
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STU2N62K3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
STU2N62K3-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
AO4403
MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC