AOU1N60 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9Ohm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
160 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
AOU1
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD1NK60-1
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
5751
NUMÉRO DE PIÈCE
STD1NK60-1-DG
PRIX UNITAIRE
0.38
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STU2LN60K3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
100
NUMÉRO DE PIÈCE
STU2LN60K3-DG
PRIX UNITAIRE
0.78
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
AON7200
MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN
AOD4146
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252