Numéro de produit du fabricant:
AOTF266L
Product Overview
Fabricant:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AOTF266L-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
Description détaillée:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventaire:
111 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12849344
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SOUMETTRE
AOTF266L Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta), 78A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5650 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta), 45.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
AOTF266
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
785-1443-5
5202-AOTF266L
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK100A06N1,S4X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
25
NUMÉRO DE PIÈCE
TK100A06N1,S4X-DG
PRIX UNITAIRE
1.07
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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